АКБ «Барьер» применило новые материалы для снижения ПЭМИ при производстве ЗАРМов
При производстве средств вычислительной техники в защищенном исполнении (ЗАРМ) при необходимости проводят доработки с применением пассивных методов защиты по снижению побочных электромагнитных излучений (ПЭМИ), а также электрическому и магнитостатическому экранированию чувствительных к внешнему электромагнитному воздействию узлов.
Одним из мероприятий, направленных на снижение ПЭМИ, является обеспечение гальванического соединения узлов в целях образования сплошной экранирующей токопроводящей поверхности.
Одна из задач команды АКБ «Барьер» — постоянное улучшение характеристик ЗАРМов и снижение трудоемкости процесса их изготовления. Для этого специалисты ищут и применяют новые материалы. В этот раз команда использовала листы упругого токопроводящего вспененного полимера с медно-никелевым напылением микропор. Были опробованы несколько образцов с аналогичными характеристиками, в том числе производимые на территории РФ.
Из листов материала методом высокоточной плоттерной резки изготовлены упругие токопроводящие прокладки в точном соответствии с формой соединяемых деталей и узлов. Испытания образцов изделий подтвердили их соответствие техническим требованиям и эффективность подхода для снижения ПЭМИ. Прокладки легко устанавливаются за счет использования на монтажной стороне токопроводящего клеевого слоя, полимеризующегося при сжатии. На проводимые конструктивно-технические мероприятия была составлена технологическая карта, которая была направлена в производство и применена при исполнении контракта на поставку партии ПК.
«Наши ЗАРМы соответствуют всем параметрам, внесены в Реестр российской промышленной продукции Минпромторга и используются многими государственными организациями. Но наша задача — не просто делать хороший продукт, но и стараться улучшать его характеристики, искать новые материалы и методы», — отметил Роман Паршин, генеральный директор ООО АКБ «Барьер», руководитель направления защиты государственной тайны «Инферит Безопасность».