8-слойные чипы HBM3E от Samsung прошли испытания Nvidia на пригодность к использованию
Данное одобрение устраняет серьезное препятствие для крупнейшего в мире производителя микросхем памяти, который пытается догнать местного конкурента компанию SK Hynix в гонке за поставку усовершенствованных микросхем памяти, способных выполнять задачи генеративного искусственного интеллекта.
Источники сообщили, что Samsung и Nvidia еще не подписали соглашение о поставках одобренных восьмислойных чипов HBM3E, но сделают это в ближайшее время. Ожидается, что поставки начнутся в четвертом квартале 2024 года. Однако, по сообщениям источников, 12-слойная версия чипов HBM3E южнокорейского технологического гиганта еще не прошла испытания Nvidia.
«Тестирование продукции проходит по плану, компания находится в процессе оптимизации своей продукции посредством сотрудничества с различными клиентами», - сообщила Samsung в своем заявлении агентству Reuters. Более подробной информации компания не предоставила.
HBM — это тип динамической памяти с произвольным доступом или стандарт DRAM, впервые представленный в 2013 году, в котором чипы внутри корпуса располагаются вертикально. Это сделано для экономии места и снижения энергопотребления. Благодаря этому, память HBM является ключевым компонентом графических процессоров (GPU) для искусственного интеллекта, она помогает обрабатывать огромные объемы данных, создаваемых сложными приложениями.
Как сообщило агентство Reuters в мае со ссылкой на источники, компания Samsung с прошлого года пыталась пройти тесты Nvidia для моделей HBM3E и предшествующих моделей HBM3 четвертого поколения, но столкнулась с трудностями из-за проблем с нагревом и энергопотреблением. С тех пор компания переработала конструкцию HBM3E, чтобы решить эти проблемы. После публикации статьи Reuters в мае компания Samsung заявила, что утверждения о том, что ее чипы не прошли тесты Nvidia из-за проблем с нагревом и энергопотреблением, не соответствуют действительности.
«Samsung все еще пытается догнать рынок HBM», — сказал Дилан Патель, основатель исследовательской группы по полупроводникам SemiAnalysis. «В то время как они начнут поставлять 8-слойные микросхемы памяти HBM3E в четвертом квартале, их конкурент SK Hynix уже будет поставлять свои 12-слойный HBM3E».
