Samsung Electronics начинает массовое производство памяти V-NAND 8-го поколения
Как и было обещано на саммите Flash Memory Summit 2022 и Samsung Memory Tech Day 2022, компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства 1-терабитной (Тб) трехуровневой ячейки (TLC) памяти восьмого поколения. Это вертикальная память NAND (V-NAND) с самой высокой в отрасли плотностью битов.
Одним из преимуществ флеш-памяти NAND является энергонезависимое хранение данных. В отличие от памяти DRAM, которой необходимо постоянное питание для хранения данных, память NAND сохраняет данные даже при отключенном питании.
Существует пять типов флеш-памяти NAND. Они различаются количеством битов, которые может хранить каждая ячейка. В SLC NAND — один бит на ячейку, MLC — два бита на ячейку, TLC — три бита на ячейку, QLC — четыре бита на ячейку, PLC — пять бит на ячейку. Таким образом, SLC NAND может хранить «0» или «1» в каждой ячейке, MLC NAND — «00», «01», «10» или «11» в каждой ячейке и так далее.
Новая память V-NAND 1Тб обладает самой высокой на сегодняшний день емкостью хранения данных, что позволяет обеспечить больший объем памяти в корпоративных серверных системах следующего поколения.
«Поскольку рыночный спрос на более плотные и емкие хранилища подталкивает к увеличению количества слоев V-NAND, Samsung внедрила свою передовую технологию трехмерного масштабирования. Это позволило уменьшить площадь поверхности и высоту ячеек, и при этом избежать помех, которые обычно возникают при уменьшении масштаба», — сказал СунгХой Хур, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям флэш-памяти в Samsung Electronics. «Наша память V-NAND восьмого поколения поможет удовлетворить быстро растущий рыночный спрос и улучшит наши позиции для предоставления более дифференцированных продуктов и решений, которые станут основой будущих инноваций в области хранения данных».
Samsung удалось достичь самой высокой в отрасли плотности битов за счет значительного увеличения производительности битов на пластину. Основанный на интерфейсе Toggle DDR 5.0 — новейшем стандарте флэш-памяти NAND — Samsung V-NAND восьмого поколения обеспечивает скорость ввода-вывода (I/O) до 2,4 гигабит в секунду (Гбит/с), что в 1,2 раза больше, чем у памяти предыдущего поколения. Благодаря этому новая память V-NAND соответствует требованиям производительности PCIe 4.0 и более поздних версий PCIe 5.0.
Ожидается, что память V-NAND восьмого поколения послужит основой для конфигураций, которые помогут расширить емкость хранения в корпоративных серверах следующего поколения, а также повысить ее применение на автомобильном рынке, где надежность всех компонентов особенно важна.
