Samsung инвестирует в новый научно-исследовательский центр 15 млрд долларов
Крупнейший в мире производитель микросхем памяти и второй по величине контрактный производитель микросхем заявил, что новый комплекс общей площадью 109’000 кв. м. в Гихыне, к югу от Сеула, будет вести передовые исследования устройств и процессов следующего поколения для микросхем памяти и системных полупроводников, а также осуществлять разработку новых технологий на основе долгосрочной дорожной карты.
В церемонии закладки фундамента приняли участие вице-председатель Samsung Electronics Джей И. Ли, президент и главный исполнительный директор Ки Хён Гён, президент подразделения микросхем памяти Юнг-Бэ Ли, президент литейного производства Сиён Чой и президент подразделения S.LSI Business Ен Ин Пак, а также более 100 сотрудников.
«Наш новый ультрасовременный научно-исследовательский комплекс станет центром инноваций, где лучшие исследовательские таланты со всего мира смогут собраться и расти вместе», — сказал президент Samsung Ки Хён Гён, который также возглавляет подразделение Device Solutions (DS). «Мы ожидаем, что это новое начало заложит основу для устойчивого роста нашего полупроводникового бизнеса».
Создавая новый научно-исследовательский центр, Samsung Electronics стремится преодолеть ограничения масштабирования полупроводников и укрепить свое конкурентное преимущество в области полупроводниковых технологий.
Кампус Samsung Electronics в Гихыне находитсяк югу от Сеула, недалеко от кампуса подразделения Device Solutions в Хвасоне. Он является местом рождения первой в мире 64-мегабайтной микросхемы памяти DRAM в 1992 году, что положило начало лидерству Samsung в области полупроводников.
«Мы должны продолжать нашу традицию упреждающих инвестиций и делать упор на технологии», — сказал вице-председатель Samsung Electronics Джей И. Ли, во время церемонии открытия.
После церемонии Джей И. Ли посетил кампус в Хвасоне, чтобы встретиться с сотрудниками подразделения Device Solutions, где они обсудили способы продвижения инноваций внутри компании. На отдельной встрече с руководителями подразделения обсуждались текущие вопросы мировой полупроводниковой промышленности, ход исследований и разработок в области полупроводниковых технологий следующего поколения, а также способы обеспечения безопасности технологий для расширения лидерства компании в области полупроводников.
