Samsung проводит церемонию ввода в эксплуатацию нового комплекса исследований и разработок полупроводников
Будучи ультрасовременным объектом, комплекс NRD-K начал работу в 2022 году и должен стать ключевой исследовательской базой для НИОКР микросхем памяти, крупномасштабной интеграции (БИС) и литейных полупроводников Samsung. Благодаря развитой инфраструктуре, исследования и проверка качества продукции смогут проводиться под одной крышей.
Samsung планирует инвестировать к 2030 году около 20 трлн корейских вон в строительство комплекса площадью около 109’000 квадратных метров (м2) на территории своего кампуса в Гихын. Комплекс также будет включать специализированную линию НИОКР, запуск которой запланирован на середину 2025 года.
«NRD-K ускорит нашу разработку, что позволит компании создать эффективный цикл для ускорения фундаментальных исследований в области технологий следующего поколения и массового производства. Мы заложим основу для нового скачка вперед в Гихыне, где началась 50-летняя история полупроводников Samsung Electronics, и создадим новое будущее на следующие 100 лет», — сказал Ён Хён Джун, вице-председатель и руководитель подразделения Device Solutions в Samsung Electronics.
«В то время, когда взаимовыгодное партнерство важно как никогда, Applied Materials стремится ускорить темпы инноваций посредством тесного сотрудничества с Samsung Electronics, работая вместе над стимулированием новой волны роста полупроводниковой промышленности», — сказал Пак Гван Сон, руководитель компании Applied Materials Korea.
Кампус Samsung в Гихын, расположенный к югу от Сеула, является родиной первой в мире 64-мегабитной (Мб) памяти DRAM созданной в 1992 году и ознаменовавшей начало лидерства компании в области полупроводников. Создание нового научно-исследовательского центра позволит внедрить новейшие разработки в области технологических процессов и производственного оборудования. Таким образом Samsung будет все время находиться на переднем крае инноваций.
Комплекс NRD-K будет оснащен литографией «High NA Extreme Ultra Violet» (EUV) и новым оборудованием для нанесения материалов, направленным на ускорение разработки полупроводниковых устройств памяти следующего поколения (таких как 3D DRAM и V-NAND с более чем 1000 слоёв). Кроме того, планируется создание инфраструктуры для склеивания пластин с инновационными возможностями соединения пластин между собой.
В третьем квартале этого года Samsung инвестировала в исследования и разработки рекордные 8,87 трлн вон и продолжает расширять границы, обеспечивая конкурентоспособность инновационных технологий, таких как усовершенствованная упаковка для производства памяти с высокой пропускной способностью (HBM).
