Samsung разрабатывает первую в отрасли высокопроизводительную память емкостью 36 ГБ
Высокопропускная память (англ. High Bandwidth Memory, HBM) — это высокопроизводительный интерфейс ОЗУ для памяти DRAM с многослойной компоновкой кристаллов в микросборке.
Компания Samsung Electronics сегодня объявила о разработке HBM3E 12H - первой в отрасли 12-стековой памяти DRAM HBM3E с высокой пропускной способностью и с самой высокой на сегодняшний день емкостью.
HBM3E 12H от Samsung обеспечивает пропускную способность до 1280 гигабайт в секунду (ГБ/с) и лучшую в отрасли емкость 36 гигабайт (ГБ). По сравнению с 8-стековым вариантом памяти (HBM3 8H) скорость передачи данных и емкость новой памяти улучшились более чем на 50%.
«Поставщикам услуг искусственного интеллекта в отрасли все чаще требуются память HBM с большей емкостью, и наш новый продукт HBM3E 12H был разработан специально для того, чтобы удовлетворить эту потребность», — сказал Йонгчеол Бэ, исполнительный вице-президент по планированию продуктов памяти в Samsung Electronics. «Это новое решение является частью нашего стремления к разработке основных технологий для высокопроизводительных HBM и обеспечению технологического лидерства на рынке памяти в эпоху искусственного интеллекта».
В HBM3E 12H применяется усовершенствованная «термокомпрессионная непроводящая пленка» (англ. Thermal Compression Non-Conductive Film, TC NCF), позволяющая 12-слойным изделиям иметь такую же высоту, как и у 8-слойных, что соответствует современным требованиям к упаковке памяти HBM. Ожидается, что эта технология обеспечит дополнительные преимущества, особенно при использовании более высоких стеков. Samsung продолжает снижать толщину своего NCF-материала и добилась наименьшего в отрасли зазора между чипами величиной в семь микрометров (мкм), а также устранила пустоты между слоями. Эти усилия привели к увеличению вертикальной плотности более чем на 20% по сравнению с продуктом HBM3 8H.
Усовершенствованная технология TC NCF от Samsung также улучшает тепловые свойства высокопроизводительной памяти HBM, позволяя использовать выступы различного размера между чипами. В процессе приклеивания чипа меньшие выступы используются в зонах передачи сигналов, а более крупные размещаются в местах, требующих отвода тепла. Этот метод также помогает повысить производительность памяти.
Ожидается, что память HBM3E 12H станет оптимальным решением для будущих систем искусственного интеллекта, которым потребуется больше ресурсов. Её высокая производительность и емкость позволят клиентам более гибко управлять своими ресурсами и снизить совокупную стоимость владения для центров обработки данных (ЦОД). Если сравнивать HBM3E 12H с HBM3 8H, то при использовании в приложениях искусственного интеллекта средняя скорость обучения ИИ в новой памяти может быть увеличена на 34%, а количество одновременных пользователей служб вывода может быть увеличено более чем в 11,5 раз.
Пока Samsung продемонстировала покупателям только образцы высокопроизводительной памяти HBM3E 12H, а её массовое производство запланировано на первую половину этого года.
