Все о Цифровых системах - новости, статьи, обзоры, аналитика. Более 1000 компаний, товаров и услуг в каталоге.
Добавить компанию

SK hynix начинает массовое производство микросхем памяти HBM3E емкостью 36 ГБ

Рубрика: «Полупроводники и микросхемы»

SK hynix начинает массовое производство микросхем памяти HBM3E емкостью 36 ГБ

Чипы памяти с высокой пропускной способностью (High-Bandwidth Memory или HBM) используют стековую конструкцию, где слои DRAM соединены между собой с помощью сквозных кремниевых переходов, что позволяет увеличить плотность памяти в более компактном форм-факторе. Эти чипы пользуются большим спросом благодаря развитию таких областей, как искусственный интеллект, графические процессоры и суперкомпьютеры.

Предыдущая максимальная емкость микросхем памяти SK hynix HBM3E составляла 24 ГБ, что достигалось путем вертикального размещения восьми чипов памяти DRAM емкостью по 3 ГБ каждый. Массовое производство чипов емкостью 24 ГБ началось всего шесть месяцев назад (в марте) в интересах ключевого клиента SK hynix – корпорации Nvidia.

Спрос на продукт был настолько велик, что к маю аналитическая компания Trendforce предупредила, что нехватка мощностей по выпуску HBM может привести к дефициту поставок микросхем памяти DRAM, поскольку производители не смогут их выпускать из-за перегруженности производственных линий.

SK hynix сообщила, что благодаря размещению четырех дополнительных слоев DRAM по 3 ГБ емкость HBM увеличилась на 50 процентов, при этом толщина микросхемы осталась прежней. Для борьбы с хрупкостью, присущей тонким слоям чипа, компания приступила к их обработке с помощью технологии Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) — процесса, при котором жидкие защитные материалы впрыскиваются между уложенными друг на друга чипами, защищая цепи и улучшая рассеивание тепла. Затем эти жидкие материалы затвердевают.

«Новый чип увеличил скорость операций с памятью до 9,6 Гбит/с, что является самой высокой скоростью памяти, доступной на сегодняшний день. Если большая языковая модель Llama 3 70B управляется одним графическим процессором, оснащенным четырьмя чипами HBM3E, то она может считывать 70 миллиардов параметров 35 раз в течение секунды», - сообщила компания на своем сайте.

Новая память SK hynix может помочь Южной Корее войти в тройку ведущих стран мира в области искусственного интеллекта. Эту цель поставил в своем заявлении президент страны Юн Сок Ёль. Правительство заявило, что достигнет цели посредством государственно-частного сотрудничества. Юн также пообещал построить Национальный вычислительный центр искусственного интеллекта и реформировать нормативные акты для поддержки усилий производителей чипов.

Источник: