SK hynix завершила первую в мире разработку памяти HBM4
HBM (High Bandwidth Memory) или память с высокой пропускной способностью - это высококачественная высокопроизводительная память, которая вертикально соединяет несколько микросхем DRAM и значительно увеличивает скорость обработки данных по сравнению с традиционными продуктами DRAM. Существует шесть поколений HBM, начиная с оригинального HBM, за которым последовали HBM2, HBM2E, HBM3, HBM3E и HBM4.
Компания SK hynix заявила, что успешно завершила разработку и подготовила массовое производство памяти HBM4, которая должна стать лидером в эпоху искусственного интеллекта.
«Завершение разработки HBM4 станет новой вехой для отрасли», — заявил Джухван Чо, руководитель отдела разработки HBM в SK hynix, который руководил разработкой. «Своевременно поставляя продукт, отвечающий потребностям клиентов по производительности, энергоэффективности и надежности, компания сможет уложиться в сроки вывода продукции на рынок и сохранить конкурентоспособность».
В связи с недавним резким ростом спроса на искусственный интеллект и обработку данных также резко возросла потребность в памяти с высокой пропускной способностью для повышения быстродействия систем. Кроме того, обеспечение энергоэффективности памяти стало ключевым требованием для клиентов в связи с ростом энергопотребления в центрах обработки данных. SK hynix ожидает, что HBM4 с повышенной пропускной способностью и энергоэффективностью станет оптимальным решением для удовлетворения потребностей клиентов.
Память HBM4, на базе которой уже подготовлена система массового производства, обладает лучшими в отрасли скоростью обработки данных и энергоэффективностью: её пропускная способность удвоена благодаря использованию 2048 терминалов ввода-вывода, что вдвое больше, чем у предыдущего поколения памяти, а энергоэффективность повышена более чем на 40%. Компания ожидает после внедрения продукта повышения производительности служб ИИ до 69%, что позволит устранить узкие места в обработке данных и значительно снизить затраты на электроэнергию в центрах обработки данных.
В новой HBM4 реализована рабочая скорость более 10 Гбит/с (гигабит в секунду), что существенно превосходит стандартную рабочую скорость 8 Гбит/с. Кроме того, компания внедрила в HBM4 усовершенствованный процесс MR-MUF, надежность которого доказана на рынке, а также пятое поколение 10-нанометровой технологии, чтобы минимизировать риски при массовом производстве.
MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill) - процесс укладки полупроводниковых кристаллов в стопку, заливки между ними жидких защитных материалов для защиты цепей между кристаллами и их закалки. Этот процесс оказался более эффективным и производительным для рассеивания тепла по сравнению с методом нанесения пленочных материалов на каждый кристалл.
«Мы представляем создание первой в мире системы массового производства HBM4», — заявил Джастин Ким, президент и руководитель подразделения ИИ-инфраструктуры SK hynix. «HBM4, символический поворотный момент, выходящий за рамки ограничений инфраструктуры ИИ, станет ключевым продуктом для преодоления технологических трудностей. Мы вырастем в поставщика полного спектра памяти для ИИ, своевременно поставляя продукты памяти высочайшего качества и с разнообразной производительностью, необходимыми в эпоху искусственного интеллекта».
