HBM

Корпорация Intel представила линейку центральных процессоров, созданных на основе новейшей технологической схемы, и поделилась новыми подробностями о своих видеокартах следующего поколения. Обе линейки продуктов ориентированы на центры обработки данных, использующие искусственный интеллект.

Южнокорейская компания SK Hynix прогнозирует, что до 2030 года ежегодный спрос на чипы памяти с высокой пропускной способностью (High-Bandwidth Memory или HBM), используемые в системах искусственного интеллекта, составит 30%. Этот рост будет возможен благодаря расширению инфраструктуры ИИ и увеличению инвестиций со стороны ведущих компаний, занимающихся облачными вычислениями.

Агентство Reuters сообщает, что восьмислойная версия микросхем пятого поколения высокоскоростной памяти (HBM) компании Samsung Electronics, или HBM3E, прошла испытания корпорации Nvidia для использования в ее процессорах искусственного интеллекта (ИИ).

Новейшие чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM) от Samsung Electronics не прошли испытания по проверке их пригодности для включения в процессоры искусственного интеллекта Nvidia.

В эпоху развития искусственного интеллекта компания Samsung стремится удовлетворить спрос на высокопроизводительные и высокоемкие решения и предлагает память с революционным 12-слойным стеком, повышающим производительность и емкость более чем на 50%.

Компания Micron Technology Inc, ведущий в США производитель микросхем, недавно объявила о своих планах по производству передовых микросхем памяти искусственного интеллекта на Тайване и в Японии.

Samsung Electronics продолжает сокращать производство микросхем памяти, включая флэш-память NAND, используемую в смартфонах и ПК. Компания сообщила о том, что во втором квартале этого года ее подразделение микросхем памяти получило операционный убыток в размере 3,4 миллиарда долларов. Samsung также сообщила об операционных убытках в полупроводниковом бизнесе за последние шесть месяцев в размере около 7 миллиардов долларов.