Публикации по тегу «HBM»

Агентство Reuters сообщает, что восьмислойная версия микросхем пятого поколения высокоскоростной памяти (HBM) компании Samsung Electronics, или HBM3E, прошла испытания корпорации Nvidia для использования в ее процессорах искусственного интеллекта (ИИ).

Новейшие чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM) от Samsung Electronics не прошли испытания по проверке их пригодности для включения в процессоры искусственного интеллекта Nvidia.

В эпоху развития искусственного интеллекта компания Samsung стремится удовлетворить спрос на высокопроизводительные и высокоемкие решения и предлагает память с революционным 12-слойным стеком, повышающим производительность и емкость более чем на 50%.

Компания Micron Technology Inc, ведущий в США производитель микросхем, недавно объявила о своих планах по производству передовых микросхем памяти искусственного интеллекта на Тайване и в Японии.

Samsung Electronics продолжает сокращать производство микросхем памяти, включая флэш-память NAND, используемую в смартфонах и ПК. Компания сообщила о том, что во втором квартале этого года ее подразделение микросхем памяти получило операционный убыток в размере 3,4 миллиарда долларов. Samsung также сообщила об операционных убытках в полупроводниковом бизнесе за последние шесть месяцев в размере около 7 миллиардов долларов.