HBM3E

Южнокорейская компания SK hynix сообщила, что стала первым производителем, начавшим массовое производство 12-слойного чипа памяти HBM3E емкостью 36 гигабайт.

Агентство Reuters сообщает, что восьмислойная версия микросхем пятого поколения высокоскоростной памяти (HBM) компании Samsung Electronics, или HBM3E, прошла испытания корпорации Nvidia для использования в ее процессорах искусственного интеллекта (ИИ).